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Samsung promette cellulari con un'autonomia superiore di oltre il 20 percento rispetto a oggi.
L'azienda ha dichiarato di aver avviato la produzione di phase-change random access memory (PRAM) in capacità di 512 megabit (Mb) con processo produttivo a 60 nanometri. La PRAM è considerata la sostituta dell'attuale memoria flash.
"Crediamo che la PRAM darà un importante contributo all'efficienza dei cellulari futuri, in particolare smartphone e dispositivi multimediali", ha dichiarato Sei-Jin Kim, vicepresidente della divisione memoria di Samsung Electronics. "Ci aspettiamo che diventi uno dei nostri prodotti di memoria principali in futuro".
Le PRAM da 512Mb possono cancellare 64 Kiloword (KW) in 80 millisecondi (ms), oltre 10 volte più rapidamente della memoria NOR flash. La PRAM, inoltre, si è dimostrata sette volte più veloce nella cancellazione di segmenti di dati da 5 Megabyte rispetto alla NOR flash.