Siamo riusciti a mettere le mani sul nuovo SSD Samsung 850 (non stiamo parlando dell'SSD 850 EVO) comparso in Cina e abbiamo deciso di metterlo alla prova. Abbiamo già incontrato la memoria 3D V-NAND a 64 layer con il Portable SSD T5, ma l'850 segna il debutto sul mercato di questa NAND all'interno di un SSD per il settore desktop. Samsung dice che la sua V-NAND TLC a 64 layer è più veloce e affidabile delle precedenti generazioni.
La nuova V-NAND a 64 layer di Samsung può archiviare 3 bit per cella in una struttura verticale, comunemente chiamata 3D TLC NAND. Ogni die a 256 Gbit ha circa 85,3 miliardi di celle. Ogni nuovo die ha la stessa densità di 256 Gbit come la NAND Samsung a 48 layer di precedente generazione, ma ha un die più piccolo, il che significa che stipa più dati in un'area più piccola. Il che porta a una riduzione dei costi.
Samsung è intervenuta anche sulle prestazioni. Il nuovo die ha un transfer rate di 1 Gb/s, il 25% in più del predecessore. L'azienda ha anche ridotto il page program time, la quantità di tempo necessaria per programmare le celle NAND, a 500 microsecondi. Samsung afferma che è 1,5 volte più veloce della sua V-NAND a 48 layer. L'azienda parla anche di un 20% di affidabilità in più.
Il nuovo 850 da 120 GB non è un sostituto delle linee 850 Pro o 850 EVO. Potrebbe altresì sostituire la gamma 750 EVO, pensata per i system integrator e il mercato OEM. Il 750 EVO offre prestazioni simili al nuovo 850, ma usa vecchia NAND 2D planare. È diffuso, ma spesso costa quanto - se non più - del popolare 850 EVO. Come l'850, anche il Samsung 750 EVO ha debuttato con un modello da 120 GB in Cina. Samsung ha poi aggiunto le versioni da 250 e 500 GB in concomitanza con la distribuzione mondiale. Il Samsung 850 potrebbe raggiungere capacità più alte se Samsung lo porterà sul mercato globale.
Il Samsung 850 potrebbe sostituire anche il Samsung 650 con V-NAND a 32 layer, un prodotto che l'azienda ha commercializzato solo in alcune parti del mondo e che viene indicato ormai come fuori produzione. Rimaniamo in attesa di capire quindi se il Samsung 850 raggiungerà l'Occidente: forse ne sapremo di più all'inizio del 2018.
Specifiche
Secondo le specifiche sul sito cinese di Samsung, il nuovo 850 usa il controller MGX dalla serie 850 EVO, anche se sospettiamo vi siano stati miglioramenti al firmware. Samsung 850 e 850 EVO hanno le stesse specifiche di 540 / 520 MB/s per quanto riguarda letture e scritture sequenziali. L'850 ha prestazioni in lettura casuale leggermente inferiori, 70.000 contro 94.000 IOPS degli EVO. Entrambi i modelli hanno invece la stessa indicazione per quanto riguarda le scritture casuali: si parla infatti di un tetto di 88.000 IOPS.
| Samsung 850 (120 GB) | |
|---|---|
| Capacità (grezza / utente) | 128 / 120 GB |
| Form factor | 2,5 pollici 7 mm |
| Interfaccia / protocollo | SATA 6 Gbps / AHCI |
| Controller | Samsung MGX |
| DRAM | 256 MB LPDDR3 |
| NAND | Samsung 64-Layer 3bit MLC (TLC) V-NAND |
| Lettura sequenziale | 540 MB/s |
| Scrittura sequenziale | 520 MB/s |
| Lettura casuale | 70.000 IOPS |
| Scrittura casuale | 88.000 IOPS |
| Codifica | AES 256 bit |
| Resistenza | 75 TBW |
| Part number | MZ-7LN120BW |
| Garanzia | 3 anni |
Da anni non testiamo SSD nella "classe dei 128 GB". Ci aspettavamo che 512 GB fosse la capacità più bassa per gli SSD con la nuova 3D NAND a 64 layer, ma la carenza di memoria NAND ha frenato i progressi e portato a un incremento dei prezzi. Non si è trattata però dell'unica ragione per cui abbiamo abbandonato quella classe di capacità. Le prestazioni degli SSD erano molto basse, e al tempo stesso le dimensioni dei software aumentavano. Un numero sempre maggiore di giochi richiede fino a 100 GB, quindi abbiamo scelto di testare SSD con una capacità ragionevole.
Quando esaminiamo i modelli minori, spesso è meglio partire dalle caratteristiche non disponibili piuttosto che da quelle presenti. Secondo il sito di Samsung, l'850 non ha codifica TCG Opal o Microsoft eDrive. L'unità ha un PSID, che è un codice a 20 cifre che vi servirà per fare una cancellazione crittografica. Si tratta di una funzionalità disponibile sugli SSD 750 EVO, 850 EVO e Pro, ma non sulla più vecchia serie 650.
Il materiale di marketing parla di memoria 3 bit MLC (TLC) V-NAND, ma non indica specificatamente che si tratta di una soluzione a 64 layer. Le nostre fonti ci hanno confermato che la famiglia 850 usa V-NAND a 64 layer. L'unità supporta anche il software di gestione Magician di Samsung e la Rapid Mode, la soluzione di caching che usa la memoria di sistema.
Il Samsung 850 è attualmente disponibile in versione da 120 GB con il model number MZ-7LN120. Samsung ha presentato l'unità solo in Asia, quindi non abbiamo informazioni sul prezzo.
L'unità arriva con 3 anni di garanzia, e una resistenza che potrebbe essere di 75 TBW (Terabytes Written) o 100 TBW. Troviamo 75 TBW nelle specifiche e 100 TBW nel testo del prodotto. Le aziende spesso copiano le pagine prodotto dai precedenti modelli e rimpiazzano semplicemente i dati adattandoli al nuovo modello. Questo potrebbe spiegare perché le pagine indicano differenti livelli di resistenza.
Questo è il primo drive nella serie 850 ad avere tre anni di garanzia anziché cinque o dieci anni. Samsung non vende più i kit da alcune generazioni, quindi non ci sono più accessori insieme all'unità, se non un po' di carta - manuali, ecc. Visivamente il prodotto è identico all'850 EVO. Dentro vediamo come Samsung abbia inserito tutti e tre i componenti principali su un lato del PCB. Il sito web dell'azienda parla del controller chiamandolo MGX, lo stesso del 850 EVO. L'unità invece non usa la tecnologia PoP (Package on Package) come il 750 EVO. Quella tecnologia fonde insieme controller e DRAM nello stesso package, ma fa salire il costo del progetto.