SK Hynix supera Samsung nella corsa alla memoria DRAM

SK Hynix raggiunge l'80-90% di resa con tecnologia DRAM 1c, superando in maniera notevole Samsung nel segmento delle memorie DRAM.

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a cura di Andrea Maiellano

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La corsa al dominio nel settore delle memorie DRAM ha trovato un nuovo protagonista. SK Hynix ha recentemente compiuto un passo decisivo nella produzione dei suoi moduli DRAM 1c, raggiungendo tassi di rendimento che gli analisti definiscono "fenomenali". Questo balzo produttivo non solo consolida la posizione dell'azienda coreana nel mercato delle memorie, ma potrebbe ridisegnare gli equilibri competitivi nell'intero settore dei semiconduttori. Con rendimenti che ora toccano l'80-90%, SK Hynix si prepara a una produzione di massa che potrebbe lasciare i concorrenti in una posizione di rincorsa tecnologica per i prossimi trimestri.

Il progresso registrato da SK Hynix nella tecnologia DRAM 1c rappresenta un salto qualitativo impressionante in un arco temporale relativamente breve. Solo nella seconda metà del 2024, i tassi di rendimento si attestavano intorno al 60%, evidenziando come l'azienda sia riuscita a ottimizzare rapidamente i propri processi produttivi. La DRAM di sesta generazione a 10nm sta dimostrando di essere non solo tecnicamente avanzata, ma anche economicamente sostenibile nella produzione su larga scala.

Questo miglioramento arriva in un momento cruciale per il mercato delle memorie ad alta larghezza di banda (HBM), dove la corsa verso lo standard HBM4 sta diventando sempre più intensa. L'HBM4 è considerato come il catalizzatore della prossima rivoluzione nelle capacità computazionali, particolare nei sistemi di intelligenza artificiale e calcolo ad alte prestazioni.

Secondo quanto riportato dal media coreano Hankooki, SK Hynix potrebbe sfruttare questo vantaggio competitivo principalmente nel segmento HBM, piuttosto che nel mercato delle memorie consumer. La strategia appare chiara: consolidare la propria leadership tecnologica dove i margini sono più elevati.

L'attenzione dell'azienda è attualmente focalizzata sulla produzione di HBM4, il che suggerisce che le soluzioni di memoria DDR5 basate sulla tecnologia 1c potrebbero non arrivare sul mercato consumer nell'immediato futuro. Tuttavia, è probabile che vedremo questa tecnologia implementata nelle versioni più avanzate di HBM4, in particolare nell'HBM4E, destinate ad alimentare la prossima generazione di acceleratori AI.

Il sorpasso tecnologico su Samsung è ormai evidente. Mentre SK Hynix si prepara alla produzione di massa, il concorrente sudcoreano sta ancora lottando per migliorare i propri tassi di rendimento nella produzione di moduli DRAM 1c. Samsung, che recentemente ha annunciato di star rivalutando i propri processi produttivi per questa tecnologia, sembra trovarsi ora in una posizione di inseguimento.

Con questa accelerazione produttiva, SK Hynix si posiziona per essere la prima azienda a iniziare la produzione di massa di HBM4, con un vantaggio temporale significativo rispetto ai concorrenti. Gli analisti di settore prevedono che questo divario tecnologico potrebbe addirittura ampliarsi nei prossimi mesi, consolidando ulteriormente la posizione dominante dell'azienda coreana nel segmento delle memorie ad alte prestazioni.

La capacità di SK Hynix di ottimizzare i propri processi produttivi in tempi così rapidi dimostra non solo l'eccellenza ingegneristica dell'azienda, ma anche la sua abilità strategica nel capitalizzare le opportunità di mercato in un settore caratterizzato da cicli di innovazione sempre più accelerati e margini competitivi sempre più ristretti.

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