SK hynix, fornitore di memorie DRAM sud coreano, ha da poco annunciato che è iniziata la produzione su larga scala delle memorie ad alte prestazioni HBM2E. L’azienda aveva annunciato che lo sviluppo di questo nuovo standard di memorie era iniziato circa 10 mesi fa durante lo scorso agosto.
Le memorie HBM (High Bandwitch Memory) sono state per la prima volta annunciate da AMD e presentate nel 2015. Queste memorie, frutto di ricerche durate più di 7 anni, volevano risolvere le problematiche che le memorie GDDR avrebbero potuto incontrare in un futuro prossimo. Si prevedeva infatti che le memorie GDDR5 sarebbero diventati inefficienti, ovvero i vantaggi prestazionali avrebbero portato dei consumi energetici troppo elevati. Inoltre le memorie GDDR presentano dei fattori che non permettono di rimpicciolire le loro dimensioni, e necessitano inoltre di numerosi componenti per raggiungere una grande larghezza di banda.
Le memorie HBM2E disporranno di 1024 I/Os (Inputs/Outputs), con velocità di 3,6Gbps per pin (ovvero una velocità totale di 3686,4Gbps). Questi dati renderebbero queste memorie la soluzione più veloce e performante nell'ambito industriale. Se vogliamo rendere questi dati più concreti, il bandwidth totale di 3686,4Gbps corrisponde a circa 460,8GBps ovvero in un secondo sarebbe possibile trasferire 124 film in FHD (assumendo che ogni film abbia un peso di circa 3,7GB).
Questi chip saranno inoltre realizzati impilando 8 “pacchetti” da 16Gb ciascuno attraverso la tecnologia TSV, garantendo una densità di 16GB, ovvero circa il doppio rispetto alla scorsa generazione di memorie, le HBM2. La tecnologia TSV (Through Silicon Via) consiste nel connettere la parte superiore e inferiore di due diversi chip attraverso migliaia di piccoli buchi sul chip di memoria DRAM. Questa particolare configurazione permette inoltre di trasferire flussi di dati, istruzioni e corrente utilizzando i canali verticali disposti all'interno di tutto il wafer. Questo permetterebbe consumi ridotti del 50% e dimensioni ridotte del 30% rispetto ai metodi di impacchettamento esistenti.
Le memorie HBM2E promettono velocità molto elevate, un’elevata capacità e consumi notevolmente ridotti. Sono quindi delle ottime candidate per gli usi in ambito di Intelligenza Artificiale, Deep Learning Accelerator e per sistemi che necessitano di processare enormi flussi di dati. Inoltre ci si aspetta che vengano utilizzate in computer Exascale, sistemi ad alte prestazioni che riescono a eseguire un quintilione di calcoli al secondo, che verranno sicuramente utilizzati per ricerche scientifiche teoriche o applicate, come la previsione dei cambiamenti climatici attraverso modelli matematico-statistici, ma anche nel campo biomedico e nell'esplorazione dello spazio.
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