Prodotti usati per il confronto
Quasi tutte le unità in questi grafici - ADATA SP550 480 GB, Crucial BX200 480 GB, Mushkin Reactor 512 GB, OCZ Trion 100 480 GB, Samsung 850 EVO 500 GB - usano memoria NAND TLC con una cache SLC emulata per migliorare la scrittura al fine di fornire una velocità di picco sostenuta per pochi secondi.
Il Samsung 850 EVO è l'attuale leader per quanto riguarda le prestazioni nella fascia media. La memoria quad-plane TLC è un'eccezione alla regola con scritture di picco per un periodo di tempo più lungo rispetto agli SSD con memoria TLC di Toshiba o Micron.
Lettura sequenziale
Ogni azienda con un SSD SATA 6Gb/s afferma che le prestazioni in lettura sequenziale si trovano tra 540 e 560 MB/s. La potenza dei controller odierni permette di raggiungere facilmente il tetto dell'interfaccia usando questo carico di lavoro. Le unità, tuttavia, riescono ancora a mostrare prestazioni differenti l'una dall'altra con basse queue depth.
 |  |
Il Trion 150 è più veloce del suo predecessore con prestazioni superiori di 40 MB/s con una queue depth di due. Il modello da 960 GB è parte di questo grafico, ma ci riferiamo alla classe di prodotti nell'ordine dei 512 GB.
Scrittura sequenziale
Il firmware aggiornato permette di godere di prestazioni più che doppie rispetto alle scritture sequenziali con una queue depth di due rispetto al Trion originale. OCZ ora ha un SSD TLC in grado di competere nella fascia bassa. È infatti vicino al Mushkin Reactor da 512 GB basato su memoria MLC.
 |  |
Potete anche vedere che il Trion 150 appiana un po' di variabilità tra quanto il buffer SLC emulato entra in gioco e il comportamento nativo in scrittura della TLC.
Lettura casuale
 |  |  |
Le prestazioni in lettura casuale del Trion 150 sono solo marginalmente migliori rispetto al predecessore. L'SP550 di Adata supera ancora il Trion da 480 GB con una queue depth di uno. E nessuno degli altri prodotti nel grafico, incluso il Trion 150 da 960 GB, è in grado di raggiungere il Samsung 850 EVO a basse queue depth.
Scrittura casuale
Tutte le unità con memoria TLC eccetto l'850 EVO di Samsung soffre di prestazioni in scrittura casuale basse.
 |  |  |
Toshiba, Micron e SK Hynix finiscono tutte dietro Samsung quando si tratta di NAND con layer verticali con accesso quad-plane. Toshiba ha sviluppato la memoria 3D BiCS, ma non dev'essere rimasta soddisfatta: la BiCS 2 è già in sviluppo ma non è ancora pronta per gli SSD. OCZ ha bisogno di quella nuova tecnologia per competere più aggressivamente con Samsung nella fascia alta e bassa del mercato.