Recensione Intel SSD 545s

Intel SSD 545s 512GB

Un SSD che si comporta bene sotto molti aspetti ma che non ha ancora tutte le carte in regola per farsi preferire all'850 EVO di Samsung.

CONTRO: Prezzo; più lento dell'850 EVO; prestazioni non costanti.

VERDETTO: Gli SSD Intel 545s sono un miglioramento delle soluzioni 540s, ma non sono ancora un vero concorrente del Samsung 850 EVO quando si tratta di prestazioni. Intel però ci va molto vicino.

La serie 545s è la prima soluzione consumer di Intel basata su memoria 3D NAND TLC a 64 layer. Si tratta di una famiglia di SSD che punta alla fascia mainstream, dove le soluzioni SATA dominano ancora la scena. La seconda generazione della memoria 3D NAND a 64-layer dovrebbe essere più veloce della precedente NAND a 32 layer. Questo potrebbe dare a Intel una possibilità di detronizzare i Samsung 850 EVO che dominano la categoria mainstream da diversi anni.

Al Computex abbiamo scattato questa rara immagine della 3D NAND di seconda generazione di IMFT. La nuova NAND con 3 bit per cella (TLC) ci ha sorpreso. Ci aspettavamo il passaggio a un die a 768 Gbit, il doppio della densità della prima generazione. Invece, la nuova 3D NAND a 64 layer perde bit ma garantisce una maggiore densità. Questa la si ottiene tramite un maggior numero di layer e la tecnologia CMOS Under the Array (CuA), che pone la circuiteria di controllo sotto l'archiviazione anziché nella periferia del die.

Siamo stati molto critici riguardo la 3D NAND floating gate di IMFT. Abbiamo provato le varianti MLC a 256 Gbit e TLC a 384 Gbit, ma non le avevamo viste accoppiate a un potente controller. Per questa memoria NAND il terreno è stato subito in salita. Ballistix, divisione di Micron, ha annunciato e poi cancellato il TX3, che doveva essere il primo SSD con la nuova NAND.

La situazione si è fatta persino peggiore con l'arrivo degli SSD Crucial MX300 e Intel 600p. Entrambe le soluzioni hanno evidenziato un'alta latenza sotto carico. La prima revisione del firmware dell'MX300 soffriva di problemi di latenza che definire estremi è un eufemismo. Le prestazioni in alcuni test erano peggiori di quelle di un hard disk. I successivi firmware hanno aiutato a mitigare il problema, ma né Intel né Micron hanno sfornato un SSD con 3D NAND a 32 layer in grado di competere con l'offerta V-NAND di Samsung. I prodotti erano persino dietro gli SSD Phison E7 con memoria NAND planare Toshiba a 15 nanometri.

Le aziende non hanno mai confermato la fonte di questi problemi di latenza. Sospettiamo di problemi sia nella memoria flash che al controller che, in concerto, riducono le prestazioni. Del controller è più facile parlare, quindi partiamo da qui. Sul fronte dei prodotti SATA consumer, abbiamo visto la 3D NAND IMFT di prima generazione accoppiata solamente a controller Marvell e SMI a quattro canali. Nessuno dei controller ha più di due o tre core a basso consumo. Pensiamo che la scarsa potenza a disposizione abbia scatenato una reazione a catena che ha esacerbato le dimensioni di pagina e blocchi della NAND a 384 Gbit.

Scrivere dati su una NAND è un processo complicato. Il controller legge il dato esistente, aggiunge nuove informazioni e poi scrive i cambiamenti sul supporto. I pezzi di dati più grandi allungano il processo di lettura, scrittura e modifica. Stiamo parlando di incrementi di tempo molto piccoli, ma che si sommano. Facciamo un esempio: per ogni vostro acquisto, mettete da parte il resto. Magari si tratta di pochi centesimi al giorno, ma col tempo diventa un bel gruzzoletto.

Il nuovo die a 256 Gbit riduce pagine e blocchi alle dimensioni più tradizionali usate da altri produttori di NAND. La dimensione del nuovo die permette al controller dell'SSD di usare tutti i canali disponibili per la memoria NAND flash. In alcuni casi il die a 384 Gbit precedente risultava in canali meno popolati. Per esempio l'Intel 600p sfrutta solo sei degli otto canali disponibili. Vediamo se la nuova 3D NAND TLC a 256 Gbit rimette in gioco Intel.

Specifiche

I prodotti Intel 545s arriveranno sul mercato con capacità da 128 GB fino a 2 TB. Testiamo il modello da 512 GB che usa quattro package NAND. Ogni package contiene quattro die. La nuova NAND permette alla serie di raggiungere fino a 550/500 MB/s in lettura/scrittura sequenziale. Intel afferma che le prestazioni casuali si attestano a 75.000 IOPS (lettura) e 85.000 IOPS (scrittura). L'alta velocità in scrittura è figlia di un buffer SLC. Intel userà lo stesso die da 256 Gbit per tutti i modelli della serie, anche se entro l'anno dovrebbe essere annunciato un die da 512 Gbit.

Durante il nostro test abbiamo osservato un throughput in scrittura sequenziale alto, anche quando il carico satura il buffer SLC. Quella tendenza ci porta a credere che questo controller usi un algoritmo di scrittura "direct to die" per impedire un netto calo delle prestazioni in scrittura sequenziale. Questa è la prima volta che vediamo questa caratteristica su un controller Silicon Motion.

Gli SSD Intel 545s usano un firmware personalizzato dall'azienda e un controller SMI SM2259 che è simile all'SM2258 che troviamo negli Adata Ultimate SU800 e altri SSD sul mercato. Il controller ha alcuni cambiamenti hardware, ma non sappiamo quali siano le differenze reali. Sospettiamo operi a frequenza maggiore.

Abbiamo già discusso della NAND, ma è bene notare che questo è il primo SSD consumer con la nuova TLC a 64 layer. Intel ha già annunciato SSD enterprise con questa tecnologia. Ci aspettiamo di vedere un sostituto del 600p arrivare sul mercato il prossimo mese con il nome 610p.

Prezzo, garanzia e resistenza

Intel ha svelato il prezzo solo dell'SSD da 512 GB. Si parla di 179 dollari. Tutti i modelli sono coperti di 5 anni di garanzia limitata, ossia in base al tasso di resistenza. Ogni capacità ha un valore di resistenza diverso, che per il modello da 512 GB in test è pari a 288 TBW.

Intel SSD 545s all'interno

Intel ha progettato un nuovo case per la serie 545s. È una novità interessante, perché è un cambiamento che nel settore consumer non vedevamo fare a Intel dall'ingresso nel settore.

All'interno troviamo il PCB con controller SMI, un package DDR3 e quattro chip NAND con memoria a 64 layer. Da notare le dimensioni contenute del circuito stampato.