Siamo sempre più vicini per vedere la prossima generazione di RAM in azione e, anche se non abbiamo al momento molte informazioni, il produttore SK Hynix ha pensato bene di rilasciare alcune slide che ci mostrano interessanti dettagli.
Come vi abbiamo riportato giorni fa, secondo Cadence l’anno del 2020 sarà sicuramente quello delle DDR5, ora a confermarlo è anche SK Hynix. La società ha difatti spiegato come le nuove RAM siano fondamentali per supportare al meglio la potenza dei processori e di conseguenza degli applicativi futuri. Secondo il produttore ad oggi le RAM DDR4 possono rappresentare un reale collo di bottiglia, per via del numero sempre crescente di Core all’interno delle CPU. Quindi, nella necessità di voler maggiore bandwidth di memoria, la prossima generazione dovrebbe assicurare un ottimo investimento per supportare al meglio le future piattaforme.
A dimostrazione di ciò lo sforzo sempre maggiore dei produttori di RAM, che in questi anni sempre più si sono concentrati nel produrre memorie DDR4 ad alte frequenze, spingendosi anche oltre i 4000MHz. Questo rappresenta però anche il limite dell’attuale generazione, in quanto mostra anche la facilità con cui i processori e le piattaforme attuali riescano ad oggi a supportare queste frequenze.
Le memorie DDR5 assicurano frequenze operative molto elevate, e questo per i produttori si traduce in un range di miglioramento molto ampio, che negli anni sicuramente porterà ad un continuo sviluppo della nuova generazione. Pensiamo semplicemente alla velocità operativa col quale le RAM DDR4 sono state introdotte nel mercato, ovvero 3200MHz e alle velocità che oggi hanno raggiunto.
Stando alle dichiarazioni di SK Hynix, il banco di memoria più "lento" avrà una velocità proprio di 3200MHz, mentre per la massima velocità, le memorie hanno il reale potenziale di poter raggiungere la massima frequenza operativa di 8400MHz. Il produttore però specifica che intende produrre le nuove memorie almeno ad una velocità pari a 4800MHz. Per quanto riguarda invece velocità inferiori, saranno destinate a segmenti di mercato e utilizzo dove l’efficienza energetica massima è un elemento fondamentale.
L'incremento prestazionale per la larghezza di banda è stato ottenuto grazie ad una nuova struttura, che prevedere due canali per ogni DIMM. Abbiamo quindi due canali indipendenti in grado di trasmettere per singolo modulo 40 bit totali, di cui 32 bit per il flusso dati e 8 bit per l’ECC (Error Correcting Code), un ottimo risultato se pensiamo alle DDR4, che possiedono solo un singolo canale, composto da 64 bit per il flusso dati più 8 bit di ECC (Error Correcting Code).
La larghezza di banda è stata incrementata notevolmente anche per via dell’aumento del numero di bank group, che risulta raddoppiato rispetto alle DDR4, mantenendo sempre uguale il numero di banchi per gruppo, ovvero 4. Nelle DDR5 vedremo quindi 32 banchi (4 per gruppo) di memoria totali, ripartiti in 8 bank group, a differenza delle DDR4 con 16 banchi (4 per gruppo) di memoria totali, ripartiti in 4 bank group.
Questa struttura aumenterà la velocità di accesso sequenziale alla memoria all’interno dello stesso banco. Sempre rimanendo in tema prestazionale, il bandwidth è stato migliorato grazie alla nuova struttura di aggiornamento per i singoli banchi, che SK Hynix chiama SAME-BANK Refresh. Nella pratica si tratta di un aggiornamento (Refresh) più efficiente per i banchi di memoria, poiché effettuerà il refresh solo per un singolo banco di un singolo bank group, così da non saturare quelli restati, che nel contempo potranno lavorare negli altri task del sistema. Questo con le RAM DDR4 avveniva in maniera differente, in quanto tutti i singoli banchi devono aggiornarsi simultaneamente; questo può causare una perdita di prestazioni, per via di una latenza maggiore.
Altro miglioramento è da attribuire al nuovo circuito chiamato DFE (Decision Feedback Equalization), che permetterà di aumentare notevolmente la banda per pin. Vediamo ora quale sono state le parole del responsabile della pianificazione dei prodotti DRAM di SK hynix, Sungsoo Ryu:
"Nella quarta rivoluzione industriale, rappresentata da 5G, veicoli autonomi, AI, realtà aumentata (AR), realtà virtuale (VR), big data e altre applicazioni, le DRAM DDR5 possono essere utilizzate per il calcolo ad alte prestazioni (HPC) di prossima generazione e per l'analisi dei dati basata sull'AI. La memoria DDR5 offrirà anche un'ampia gamma di densità basata su stampi monolitici da 16Gb e persino 24Gb, al fine di soddisfare le esigenze dei clienti dei servizi cloud. Sostenendo una maggiore densità e scalabilità delle prestazioni rispetto al suo predecessore, la memoria DDR5 si è posta un solido punto di riferimento per guidare l'era dei grandi dati e dell'IA. Con questo, SK hynix si assicurerà un vantaggio competitivo nel mercato dei server premium, fornendo al contempo ai clienti soluzioni di memoria di alto livello".
Ma quando arriveranno le nuove soluzioni? Seguendo la roadmap di Intel, la società di Santa Clara dovrebbe iniziare a sfruttare le DDR5 in campo server intorno al 2021, mentre Samsung dovrebbe iniziare la produzione di massa per le memorie EUV DDR5 nel 2021. SK Hynix dovrebbe invece iniziare la produzione entro la fine dell’anno. Per quanto riguarda invece AMD, non abbiamo informazioni precise e non sappiamo se utilizzerà le DDR5 con il socket AM4 o con quelli futuri.
Non aspettatevi però di poter mettere le mani sulla prossima generazione entro la fine di questo anno o il prossimo, perché il target iniziale sarà rivolto a sistemi server e piattaforme HEDIT. È quindi ovvio che le RAM DDR5 si concentreranno su CPU dall’elevato numero di core a fronte di eliminare eventuali fenomeni di bottleneck.
Manca ancora un po' per vedere la prossima generazione di RAM nei nostri PC, per le configurazioni attuali vi consigliamo questo modello HyperX Predator DDR4 acquistabile su Amazon.