SK Hynix ha presentato mercoledì i primi moduli di memoria HBM3 con una velocità di trasferimento dati di 6,4GT/s (6400Gb/s), e una larghezza di banda fino a 819GB/s, destinati a GPU, CPU, FPGA e acceleratori AI. Questo nuovo tipo di DRAM migliora notevolmente le prestazioni offerte dagli standard HBM2 e HBM2E della generazione precedente e aggiunge il supporto al codice di correzione degli errori sul die per una maggiore resa.
Proprio come le precedenti iterazioni delle memorie HBM, l'HBM3 impila più DRAM relativamente lente su un die di base, le collega tramite silicon vias (TSV) e le collega all'host utilizzando un bus a 1.024 bit. Ogni stack di HBM3 (chiamato KGSD — known good stacked die) supporta fino a 16 canali a 64 bit suddivisi in 32 pseudo canali (per una gestione più precisa del traffico e la massimizzazione della larghezza di banda), ognuno dotato da 16 a 64 banchi.
Synopsys afferma che la densità massima del canale è 32Gb, il che significa che un KGSD può contenere fino a 64GB di memoria su un numero variabile di stack. L’azienda dichiara inoltre che il suo HBM3 PHY supporta una velocità di trasferimento dati fino a 7,2GT/s (7200Mb/s), mentre Rambus ha asserito che la sua interfaccia HBM3 supporta fino a 8,4GT/s (8.400Mb/s) per pin. Tali velocità sono paragonabili a quelle delle SDRAM DDR5, anche se non siamo sicuri di quale protocollo utilizzi HBM3.
Per quanto riguarda la famiglia HBM3 di SK Hynix, l'azienda prevede di offrire due tagli: 16GB e 24GB. L'HBM3 KGSD da 24GB impila 12 DRAM da 16Gb con uno spessore di 30μm (ciascuna) e interconnesse tramite TSV. I dispositivi di memoria supportano una velocità di trasferimento dati di 6,4GT/s e quindi un singolo stack HBM3 può fornire una larghezza di banda massima di 819GB/s. Una cosa interessante da notare sui chip HBM3 di SK Hynix è che sono quadrati, non rettangolari come quelli HBM2 e HBM2E. In genere, le GPU di elaborazione ad alte prestazioni degli FPGA utilizzano quattro o sei KGSD HBM, quindi con gli stack HBM3 di SK Hynix otterrebbero 3,2 TB/s o addirittura 4,9 TB/s di larghezza di banda.
Ora che SK Hynix ha terminato lo sviluppo delle sue memorie HBM3, può iniziare il campionamento con i clienti desiderosi di adottare il nuovo tipo di DRAM per poi passare alla produzione in serie di dispositivi KGSD appropriati. Sfortunatamente, SK Hynix non rivela quando prevede di produrre stack DRAM HBM3 in grandi volumi.
Seon-yong Cha, Executive Vice President a capo dello sviluppo di DRAM, ha dichiarato:
Dal lancio della prima DRAM HBM al mondo, SK Hynix è riuscita a sviluppare la prima HBM3 del settore dopo aver guidato il mercato HBM2E. Continueremo i nostri sforzi per consolidare la nostra leadership nel mercato delle memorie premium e contribuire a rafforzare i valori dei nostri clienti fornendo prodotti in linea con gli standard di gestione ESG.