Intel: il nodo 18A supera TSMC e Samsung nei nodi a 2 nm

La corsa al primato tecnologico tra i giganti dei semiconduttori ha un nuovo protagonista. Intel si prepara a riconquistare la leadership nel settore con il suo processo produttivo 18A, che secondo le ultime analisi di TechInsights citate dai media taiwanese 3C News, supera in prestazioni i nodi concorrenti di TSMC e Samsung nella classe dei 2 nanometri. Il processo produttivo di Intel non solo promette maggiore efficienza, ma introduce innovazioni radicali che potrebbero ridefinire il futuro dell'industria dei chip. Una vittoria significativa per l'azienda americana che negli ultimi anni aveva perso terreno rispetto ai competitor asiatici.

I dati parlano chiaro: nella scala personalizzata utilizzata da TechInsights, Intel 18A ottiene un punteggio di 2,53, mentre TSMC N2 si ferma a 2,27 e Samsung SF2 a 2,19. Questa valutazione posiziona Intel come leader indiscusso nella categoria dei processi produttivi a 2 nanometri. Backside Power Delivery Network (BSPDN) rappresenta l'innovazione più significativa di questo nodo, una tecnologia che vedremo implementata nei processori Panther Lake previsti per i test a fine 2025 e per la distribuzione all'inizio del 2026.

La nuova architettura di alimentazione introdotta da Intel non è solo un miglioramento incrementale ma un vero cambio di paradigma. Aumenta l'efficienza del layout e l'utilizzo dei componenti dal 5 al 10%, riduce la resistenza di interconnessione e migliora le prestazioni ISO power fino al 4%. Questi risultati sono possibili grazie a una significativa riduzione della resistenza intrinseca rispetto ai tradizionali sistemi di routing dell'alimentazione sul lato frontale del chip.

Rispetto al suo predecessore, il nodo Intel 3, il processo 18A offre un miglioramento del 15% nelle prestazioni per watt e riesce a inserire il 30% di transistor in più nella stessa area. La densità è diventata un fattore cruciale in un'epoca in cui i chip devono gestire carichi di lavoro sempre più complessi con un consumo energetico contenuto.

Il design RibbonFET è già entrato nella fase di produzione a rischio, un passaggio fondamentale prima della produzione su larga scala. Come dichiarato da Intel: "Questa fase finale riguarda lo stress-test della produzione in volume prima di passare alla produzione ad alto volume nella seconda metà del 2025". La timeline aggressiva dimostra la fiducia dell'azienda nella maturità del suo processo produttivo.

Anche sul fronte della densità SRAM, Intel sta facendo progressi notevoli. Le celle SRAM ad alte prestazioni si sono ridotte da 0,03 µm² in Intel 3 a 0,023 µm² in Intel 18A, mentre le celle ad alta densità si sono contratte a 0,021 µm². Questi fattori di scala, rispettivamente di 0,77 e 0,88, sfidano l'assunto precedente che la riduzione delle dimensioni SRAM avesse raggiunto un plateau tecnologico.

L'approccio "around-the-array" di PowerVia rappresenta un'altra innovazione significativa. Questa soluzione affronta i problemi di caduta di tensione e interferenza instradando le vie di alimentazione verso i circuiti I/O, di controllo e decodifica, liberando l'area delle celle bit dalle alimentazioni frontali. Il risultato è una densità macro bit di 38,1 Mbit/mm², che posiziona Intel in diretta concorrenza con il nodo N2 di TSMC.

La combinazione di tutte queste innovazioni, unite alla tecnologia BSPDN, sta plasmando un nodo produttivo estremamente potente. Gli esperti del settore attendono con impazienza di poter testare i primi chip basati sul processo 18A per verificare se le promesse di Intel si tradurranno in vantaggi concreti per i consumatori finali e per le applicazioni industriali sempre più esigenti in termini di potenza di calcolo ed efficienza energetica.