MRAM: Pole Position nella corsa alla successione
Nessuna tecnologia di memorie si avvicina a essere così avanzata nel proprio sviluppo quanto MRAM (Memorie Ad Accesso Casuale Magneto-Resistive), presentata da Infineon nel giugno 2004. I sostenitori di MRAM, particolarmente Infineon e Freescale, affermano che MRAM possiede tutto il potenziale per rendere la vita difficile non solo a Flash, ma anche alle memorie DRAM e SRAM. Il principio di MRAM è basato sull'immagazzinamento di dati con elementi magnetici installati su un substrato di silicio.
MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory - Memorie Ad Accesso Casuale Magneto-Resistive)
I punti di forza delle memorie MRAM si racchiudono nella pressoché infinita quantità di cicli di scrittura (Flash si ferma tra i 100000 e il milione di cicli) e velocità di accesso e scrittura incredibilmente alte.
"Il tempo necessario alla scrittura del primo bit di informazione nel chip MRAM è circa un milione di volte inferiore al tempo necessario per scrivere su memorie Flash. Il tempo richiesto per leggere il primo bit di informazione nelle memorie MRAM invece, è inferiore di tre volte rispetto ad un chip NOR Flash e di mille volte rispetto un chip NAND Flash" afferma il Dr. Gerhard Müller, responsabile del technology development in the Memory Products Business Group della Infineon Technologies.
Freescale sta già sviluppando modelli di chip MRAM e ha in programma l'immissione sul mercato della versione a 4Mbit entro il prossimo anno. La società non ha fornito ulteriori dettagli circa le possibili aree di impiego.
Le critiche a questa tecnologia mettono in dubbio che MRAM possa mai ottenere le stesse dimensioni delle celle di Flash. Secondo Infineon, le dimensioni delle celle di una memoria Flash sono attualmente di 0.1 µm², mentre un chip MRAM da 16 Mbit può raggiungere dimensioni di soli 1.42 µm². Inoltre, non è ben chiaro se i costi di produzione delle MRAM potranno mai essere spinti ai livelli di FLash.
Alla Freescale, comunque, l'opinione è che lo sviluppo di MRAM abbia una curva di miglioramento ancora più ripida di quella di Flash. "Non abbiamo motivi di credere che MRAM sarà più costosa da produrre nei prossimi anni rispetto a Flash" dice Weisman."Siamo ancora cinque o sei anni lontani dal momento in cui MRAM possa realmente rivaleggiare con le memorie Flash in termini di densità e di prezzi."
Comunque, non ha potuto dire quando precisamente pensano di raggiungere Flash: "Questo dipende anche dallo sviluppo delle memorie Flash. Il problema è che stiamo parlando di un bersaglio mobile". Sia Freescale che Infineon credono che MRAM abbia tutte le carte in regola per sostituire Flash, e persino DRAM/SRAM in futuro. Potrà veramente trattarsi di una "memoria dagli utilizzi universali"?