I 3nm di Samsung diventano 2nm per battere Intel: ennesima prova che il nome non conta niente

Samsung Foundry rinomina la sua tecnologia di chip da 3nm a SF2, senza però apportare cambiamenti pratici: una mossa strategica per mantenersi competitiva?

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a cura di Giulia Di Venere

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Samsung Foundry ha rinominato il suo processo produttivo da 3nm a SF2. Questo cambiamento sembra essere una mossa strategica per competere più efficacemente con Intel, che si prepara a lanciare il suo nodo di produzione Intel 20A a 2nm.

Nonostante il cambio di nome, la tecnologia di produzione di Samsung, ora denominata SF2, manterrà le stesse specifiche e funzionalità della precedente SF3. Questo implica che i clienti che avevano già pianificato l'utilizzo del nodo SF3 non dovranno rielaborare completamente i loro progetti. 

Samsung Foundry avrebbe già comunicato ai suoi clienti i cambiamenti nella tabella di marcia e la ridenominazione da SF3 a SF2. Anche se questa modifica sembra essere principalmente una trovata di marketing, con la tecnologia del processo di variazione che nel concreto rimarrà invariata, l'obbiettivo potrebbe essere quello di migliorare la percezione dell'offerta e semplificare la nomenclatura.

La tecnologia SF2 di Samsung si basa sull'impiego di transistor gate-all-around (GAA), definiti Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistors (MBCFET). Tuttavia, a differenza del processo 20A di Intel, non implementa il metodo BSDPN (Backside Power Delivery Network). Samsung prevede di iniziare la produzione dei chip basati sulla nuova tecnologia SF2 nella seconda metà del 2024.

La ridenominazione può apparire come una mossa tattica nel panorama altamente competitivo delle tecnologie di produzione di chip, e rimane da vedere se questa strategia riuscirà a posizionare Samsung Foundry in modo più vantaggioso rispetto ai suoi concorrenti, in un settore in cui la percezione del progresso tecnologico è fondamentale. Resta il fatto che i nanometri stanno diventando sempre più una questione di marketing, piuttosto che una rappresentazione diretta delle prestazioni e della densità dei chip.

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