VRM 11: richiesto per i processori a 45 nanometri
Una ragione per variare il supporto processore è la circuiteria dei regolatori di tensione delle nuove motherboard. Queste necessiteranno della compatibilità con le specifiche VRM 11.0, necessarie anche per il supporto ai processori a 45 nanometri. Il problema principale non riguarda il minor voltaggio, ma le fluttuazioni energetiche a causa dei milioni di transistor che si accendono e spengono o, in generale, cambiano stato. Ricordatevi che i futuri quad-core saranno in grado di regolare il clock dinamicamente per ogni core, nonché di accenderli e spegnerli in base al carico di lavoro.
Questo significa anche che ogni motherboard 965 compatibile con le specifiche VRM 11 può "tecnicamente" supportare i processori a 45 nanometri. VRM 11 indica che il circuito è programmato per utilizzare VID a 8 bit, permettendo incrementi di voltaggio pari a 0,00625V. Il minimo voltaggio operativo non è pari a 0,8375 V (come con il VRM 10), ma arriverà fino a 0.5V. VRM 11 è dotato anche dell'opzione per ripartire il carico su più fasi, e i circuiti funzioneranno la cosiddetta modulazione dual edge, che significa che i controller inviano impulsi multipli ai transistor, utilizzando condensatori più piccoli. L'obiettivo non è solo di fornire incrementi del voltaggio più risicati, ma anche di fornire sufficiente potenza ai differenti livelli di voltaggio che potrebbero cambiare frequentemente.
Overclocking: un buon inizio con FSB a 1900 MHz
Non abbiamo avuto molto tempo da dedicare all'overclock, ma possiamo tranquillamente dire che il progetto delle nuove motherboard offrirà delle buone potenzialità di overclock. Come già detto, il P35 è un ottimo componente per questo proposito. La MSI P35 Platinum che abbiamo utilizzato ci ha permesso di arrivare subito a FSB1900. Confidiamo nel fatto che molte motherboard per overclocking saranno in grado di sorpassare la velocità di FSB2000.
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Le memoria DDR3 sono ancora basate sulla tecnologia double data-rate, e ciò significa che i dati sono trasferiti su entrambi i fronti del segnale, in salita e discesa, duplicando così il transfer rate. Tuttavia, la memoria lavora con i cosiddetti "prefetch buffer", che sono utilizzati per collezionare i dati prima di fornirli a un'interfaccia più veloce. La memoria DDR1 lavora con un prefetch di 2 (DDR mode, no buffering), la DDR2 con un prefetch di 4 e, come è possibile immaginare, la DDR3 è basata su un prefetch di 8. Questo è il trucco che si nasconde dietro le prestazioni della memoria, e spiega anche perché le latenze si dilatano: le DDR1 lavorano con CAS di 2, 2.5 o 3 clock; le DDR2 arrivano a CL 3, 4 o 5, mentre le DDR3 ora arrivano a CL da 5 a 8. Semplicemente si tratta del tempo necessario per riempire il buffer. Per questa ragione non dovete aspettarvi che le DDR3 siano più veloci delle DDR2 fin da subito.
Ogni generazione DDR utilizza una densità di memoria superiore, e ciò significa che la capacità si espande con i processi costruttivi più avanzati. La media per i moduli DDR1 era 512 MB per modulo (1 GB totale). Le DDR2 hanno raggiunto la loro maturità con una capacità di 1 GB per modulo (2 GB totali), quindi ci aspettiamo che le DDR3 saranno ampiamente utilizzate in configurazioni da 4GB, con moduli da 2GB ciascuno. Il JEDEC ha specificato che il voltaggio di default delle DDR3 è pari a 1.5V - per le DDR2 è di 1.8V, mentre per le DDR1 è pari a 2.5V. Molti produttori di memoria aumentano voltaggio dei propri moduli (over volt) per cercare di offrire timing inferiori - cioè per raggiungere prestazioni maggiori. La storia si ripeterà anche per le DDR3.
A causa del minor voltaggio di funzionamento, la memoria DDR3 consumerà meno energia. Tuttavia, non possiamo ancora confermarlo con dei test, dato che il sistema di prova in nostro possesso si è rivelato più affamato di energia rispetto a quello dotato di DDR2. Intel afferma che la memoria DDR3-1333 necessiterà della stessa potenza di funzionamento della memoria DDR2-800, mentre a parità di clock il risparmio si assesta sul 25%.